하이닉스반도체(대표 우의제)는 지난 15일, 세계 최초로 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용해 800MHz 세계 최고속 메모리 모듈을 개발했다고 밝혔다.

지난 10월 모듈의 기반이 되는 60나노급 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 받은 데에 이어, 60나노급 DDR2 모듈에 대해서도 업계 최초로 인텔의 인증과정인 AVL(Advanced Validation Lab)의 테스트를 이미 통과했으며, 최종 인증 결과는 내년 초에 공식적으로 발표될 예정이다. 이로써 하이닉스반도체는 최첨단 반도체 제조 기술과 미세회로 공정 기술에 대한 앞선 기술력을 대내외에 다시 한번 입증하게 됐다.

이번에 개발된 1GB DDR2 모듈은 업계 최고속인 800MHz와 667MHz의 동작속도를 구현할 수 있는 제품 두 종으로 초고속 데이터 전송이 가능하다. 또한 현재까지 인증을 받은 제품 중 가장 미세한 공정인 60나노급 공정 기술이 적용된 제품으로 기존 80나노에 비해 생산성을 50%나 높일 수 있어 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 것으로 보인다.

또한 ‘3차원 입체 트랜지스터’와 ‘3층 금속 배선 기술’이 사용되어 저장 능력과 속도를 높인 점도 특징이다. ‘3차원 입체 트랜지스터’는 트랜지스터의 동작을 보다 더 안정적으로 만들기 위해 입체적으로 설계함으로써 누설 전류를 줄여 데이터 저장 능력을 향상시키는 기술이고, ‘3층 금속 배선 기술’은 칩의 금속 배선 층을 기존보다 한 층 더 늘려 3층으로 만들어 속도를 향상시키는 기술이다.

하이닉스반도체 개발생산총괄 소자 담당 홍성주 상무는 “이러한 첨단 기술들을 통해 회로가 극미세화 되더라도 안정적으로 동작할 수 있어, 공정 축소에 따른 제품의 신뢰성 획득의 어려움도 해결했다”고 밝혔다.

이번에 개발된 제품은 내년 상반기부터 대량 생산될 예정이며, 최고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 PC용 D램, 그래픽 D램, 모바일 D램에 확대 적용할 수 있어 하이닉스반도체의 제품 경쟁력을 더욱 확고히 할 전망이다.

한편 하이닉스반도체는 이번에 개발된 60나노급 1GB 모듈뿐만 아니라 향후 서버용 고용량 모듈인 RDIMM, FBDIMM 등도 저비용으로 제작할 예정이다. 이것은 최첨단 미세 공정인 60나노급 공정을 사용하여 칩 크기를 줄이고 더불어 패키지 크기도 기존보다 대폭 줄여, 고비용이 드는 적층 기법을 사용하는 대신 평면으로 이열씩 배열하는 방식이 가능해졌다.
하이닉스반도체는 이번 제품 출시를 계기로 업계 최고 수준의 기술력으로 이미 시장에서 선도적인 위치를 차지하고 있는 DDR2 제품의 개발과 판매를 강화하고, 제품 차별화를 통해 회사의 경쟁력을 한층 더 확고히 하는데 주력할 계획이다.

3차원 트랜지스터란

트랜지스터는 전류가 흐르는 일정 길이가 확보되어야 안정적으로 동작할 수 있는데, 나노급 제품에서 필요한 트랜지스터 길이를 확보하기 위해 실리콘 표면을 깎아내어 전류가 움푹 패인 표면을 따라 흐르게 만든 트랜지스터를 3차원 트랜지스터라고 한다.