하이닉스반도체가 삼성전자에 이어 세계 두 번째로 80나노 회로공정을 적용한 DDR2 양산에 나섰다.

18일 하이닉스(대표 우의제)에 따르면 지난 3월 80나노급에서 업계 최초로 DDR2-800에 대한 인텔 인증을 획득했던 노바(NOVA) 512Mb DDR2 제품이 7월부터 본격적으로 양산에 돌입했다.

이는 지난 3월 삼성전자가 업체 처음으로 512Mb DDR2의 양산에 나선 데 이어 두 번째로 한국 메모리 업체들이 다시 한번 D램 부문에서 앞설 수 있는 경쟁력을 확보하게 됐다.
하이닉스는 성공적인 노바 기술개발 완료와 노바 512Mb DDR2 제품 양산을 축하하는 행사를 최근 경기도 이천 본사에서 NOVA 태스크포스팀을 포함한, 연구개발 및 제조인력 300여명이 참석한 가운데 가졌다.

이 자리에서 오춘식 부사장은 "노바는 우수한 연구개발 인력과 양산 팹의 적극적인 협조로 이룩한 업계 최고 수준 기술력의 결정체"라며, "오늘의 이 기쁨을 60나노급 기술 개발의 성공 후에도 다시 한번 누릴 수 있도록 다 함께 최선을 다하자"고 당부했다

하이닉스는 그동안 초미세회로선폭 개발의 일환으로 `칩 패밀리 프로젝트'를 진행, 2001년이후 0.15미크론급BC(Blue Chip), 0.13미크론급PC(Prime Chip), 0.10미크론급GC(Golden Chip), 90나노급 DC(Diamond Chip)의 개발과 양산 성공으로 회사 재기의 발판을 만들었다. 또 이번 80나노 노바의 개발과 양산에 성공함으로써 세계최고의 기술력을 확보하게 됐다.

80나노 노바 제품은 90나노급 기술을 적용한 다이아몬드 칩 제품에 비해 약 50%의 생산량이 증가돼 획기적인 경영실적 개선을 이룰 수 있을 전망이다. 노바 개발에서 쌓인 기술력을 바탕으로 60나노급 기술 선점에도 한층 탄력을 받을 수 있을 것으로 기대된다.